在SEMICON China 2025展會(huì)期間，深圳市新凱來(lái)技術(shù)有限公司攜五款自主研發(fā)的半導(dǎo)體核心工藝設(shè)備震撼亮相，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。此次發(fā)布的外延沉積設(shè)備EPI（峨眉山）、原子層沉積設(shè)備ALD（阿里山）、物理氣相沉積設(shè)備PVD（普陀山）、刻蝕設(shè)備ETCH（武夷山）及薄膜沉積設(shè)備CVD（長(zhǎng)白山），精準(zhǔn)覆蓋了晶圓制造八大核心工藝中的五個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體裝備自主化取得突破性進(jìn)展。

突破"卡脖子"瓶頸：國(guó)產(chǎn)設(shè)備實(shí)現(xiàn)從0到1的跨越

我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期受制于高端裝備依賴進(jìn)口的困境。以ALD（原子層沉積）設(shè)備為例，該技術(shù)在3nm先進(jìn)制程中承擔(dān)高k介質(zhì)/金屬柵極薄膜沉積任務(wù)，此前全球市場(chǎng)被ASM International等歐美巨頭壟斷。新凱來(lái)發(fā)布的阿里山ALD設(shè)備采用自主研發(fā)的脈沖式等離子體增強(qiáng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)≤2?精度的原子級(jí)薄膜沉積，成功打破技術(shù)封鎖。

EPI（峨眉山）設(shè)備在8英寸功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，其外延層均勻性達(dá)到±0.5%國(guó)際先進(jìn)水平，正在開(kāi)發(fā)的12英寸版本將直接對(duì)標(biāo)美國(guó)AXT公司的AXT-4000。ETCH（武夷山）系列等離子體刻蝕機(jī)采用射頻感應(yīng)耦合技術(shù)，可在5nm節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)≥95%的刻蝕選擇比，關(guān)鍵指標(biāo)超越東京電子同類產(chǎn)品。

構(gòu)建垂直整合生態(tài)：設(shè)備國(guó)產(chǎn)化撬動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

新凱來(lái)發(fā)布的普陀山PVD設(shè)備已與中微公司、盛美上海形成國(guó)產(chǎn)PVD/CVD設(shè)備矩陣，正在適配長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層3D NAND量產(chǎn)線。這種"設(shè)備集群效應(yīng)"正在重塑?chē)?guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造生態(tài)：

上游材料：峨眉山EPI設(shè)備的硅烷噴淋系統(tǒng)采用北方華創(chuàng)提供的國(guó)產(chǎn)噴頭，帶動(dòng)國(guó)內(nèi)高純度硅烷氣供應(yīng)鏈升級(jí)；

中游制造：阿里山ALD設(shè)備已進(jìn)入中芯國(guó)際FinFET中試線，與華海清科CMP設(shè)備形成前道工藝協(xié)同；

下游應(yīng)用：武夷山ETCH設(shè)備正在為比亞迪半導(dǎo)體IGBT產(chǎn)線定制開(kāi)發(fā)碳化硅刻蝕工藝包。

技術(shù)迭代與市場(chǎng)雙輪驅(qū)動(dòng)：國(guó)產(chǎn)設(shè)備迎來(lái)戰(zhàn)略機(jī)遇期

隨著全球晶圓產(chǎn)能向中國(guó)轉(zhuǎn)移（2025年中國(guó)大陸晶圓產(chǎn)能占比預(yù)計(jì)達(dá)23%），國(guó)產(chǎn)設(shè)備的市場(chǎng)空間持續(xù)擴(kuò)大。新凱來(lái)發(fā)布的長(zhǎng)白山CVD設(shè)備以25%的價(jià)格優(yōu)勢(shì)切入國(guó)內(nèi)8英寸市場(chǎng)，已獲得華潤(rùn)微電子5臺(tái)訂單。公司董事長(zhǎng)劉明遠(yuǎn)表示："我們正構(gòu)建'設(shè)備即服務(wù)'（EaaS）商業(yè)模式，通過(guò)云端實(shí)時(shí)監(jiān)控設(shè)備健康度，將設(shè)備綜合利用率（OEE）從行業(yè)平均65%提升至82%。"

技術(shù)路線圖升級(jí)：瞄準(zhǔn)下一代半導(dǎo)體技術(shù)制高點(diǎn)

新凱來(lái)已啟動(dòng)"量子點(diǎn)沉積"與"選擇性外延"兩項(xiàng)前瞻技術(shù)攻關(guān)。峨眉山EPI平臺(tái)正在開(kāi)發(fā)的橫向擴(kuò)散外延技術(shù)（Lateral Epitaxy），有望解決SiC外延材料成本瓶頸；阿里山ALD設(shè)備正在適配2nm節(jié)點(diǎn)所需的鈷/釕金屬沉積工藝，提前布局后摩爾時(shí)代。